射频前端产业逻辑依然供不应求

　　1、需求增长：5G新增需求，国产化率提升
　　手机射频前端主要包括功率放大器（Power Amplifier）、开关（Switch）/调谐器（Tunner）、滤波器（Filter）/双工器（Duplexer）、低噪声放大器（LNA）等器件。
　　1.1、5G新增需求
　　在4G LTE时代，射频前端市场的增长来自于载波聚合和MIMO技术。5G时代要求增加频段，实现双重连接，下行方向过渡到4 x 4 MIMO，上行方向发展到2 x 2 MIMO，这将促进射频前端市场增长。根据Yole数据，2018年射频前端市场为150亿美元，预计到2025年达到258亿美元，2018~2025年的复合年增长率为8%。
　　5G采用4 x 4 MIMO天线方案将驱动LNA与天线开关需求增长，Yole预计分立的开关和LNA市场规模将从2018年的9亿美金增长到2025年的17亿美金，复合年增长率为9%。此外，为实现LNA与开关的集成，RF SOI工艺将成为主流。
　　1.1、国产化率提升
　　射频前端市场集中度高，Skyworks、Qorvo、Broadcom和Murata四家巨头占据全球85%以上的市场份额。国产厂商加速追赶，基本覆盖所有领域。国际射频前端龙头主要采取IDM模式，国内厂商通过Fabless模式快速切入各个领域。
　　考虑到供应链安全，下游终端厂商开始逐渐将供应链转向国内，加速对国产供应商的验证进展，扶持国产零部件厂商发展，国内射频产业链相关公司在国产手机厂商中的份额有望持续提升。
　　除了手机之外，其他消费电子也开始逐渐导入国产射频供应商，比如小米Mi watch采用了卓胜微的射频开关。
　　2、供给受限：SOI衬底寡头垄断，代际切换紧张
　　目前，90%以上的射频开关 unner采用RF-SOI工艺；高端LNA采用锗硅工艺，低端LNA采用RF-SOI工艺，未来随着RF-SOI技术逐渐进步，特别是5G毫米波集成度提升，RF-SOI LNA占比有望持续提升。
　　RF-SOI是专门用于制造智能手机和其他产品中的特定射频芯片（如开关和天线调谐器）的专用工艺。RF-SOI是绝缘体上硅（SOI）技术的RF版本，与用于数字芯片的全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）不同。
　　2.1、SOI衬底寡头垄断
　　Soitec是RF-SOI衬底的最大供应商，拥有全球70％以上的市场份额，而其他供应商Shin-Etsu、GlobalWafers、Simgui也基于Soitec的技术授权生产RF-SOI晶圆衬底。
　　由于5G带来的开关和LNA需求增加快速，而全球RF-SOI衬底技术主要来自于Soitec独家；同时，在全球晶圆代工全面吃紧的情况下，代工产能也扩产缓慢，我们预计RF-SOI衬底以及代工产能都将处于供给紧张状态。
　　2.1、代际切换紧张
　　类比于2016年2D NAND向3D NAND的代际转换，产能存在逐渐释放的过程，在智能手机和SSD需求旺盛下，NAND供不应求，开启涨价周期。
　　尽管射频器件不如存储器周期性明显，但是代际切换过程中导致的供需失衡依然值得参考。
　　4G时代，RF-SOI主要需求来源于8英寸晶圆，8英寸主要是用来做单个开关或者LNA；随着5G时代到来，产业链开始积极向12英寸演进，希望能微缩制程，提升单晶圆产能，以及更好地集成开关和LNA。
　　在代际切换过程中，非常容易出现供需失衡的情况。一方面，衬底厂商和代工厂商积极布局12寸产能，对8寸产能扩产保守；另一方面，射频器件的制程微缩和集成难度非常高，涉及到工艺的方方面面。
　　①中低端供给减少。设计公司将原有产能向高端产品转移，可能会出现中低端产品供不应求的状态。
　　②高端产能释放不足。设计公司将原有产能向高端产品转移，但由于工艺切换、产品认证、量产爬坡等因素影响，高端产品可能出现产能释放不足，从而导供不应求。
　　3、投资建议
　　需求端，5G对射频前端器件用量及性能提升，同时下游终端厂商不断提升国产化率，对于国产射频厂商而言，需求非常旺盛。
　　供给端，RF-SOI衬底寡头垄断，晶圆代工扩产缓慢；国际大厂开始向高端转移，中低端产能或出现紧缺，而代际切换又可能导致高端产能释放不足。
　　因此，尽管短期内供需双方都受到疫情扰动，但我们认为疫情影响只是暂时的，且不改变总体行业供需紧张的大逻辑。
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