2021   年闪存逐渐从  96   层过渡到了  128   层为主，再往下就是  170   层到  200   层的了，每家闪存厂商的方案都有所不同，西数将在明年底量产  BiCS6   代  3D   闪存，堆栈层数提升到  162   ，而且接口速度翻倍。
　　在闪存市场上，西数跟东芝是合作研发、生产的，  BiCS   技术其实主要是来自东芝，目前量产的主力是  BiCS5   ，  2019   年  2   月份发布，堆栈层数  112   层，核心容量  512Gbit   ，接口速度  1.066Gbps   。
　　BiCS6   闪存是下一代产品，堆栈层数最终确定为  162   层，而非之前所说的  170+   层，核心容量也提升到了  1Tbit   ，   另外就是接口速度也将达到  2.0Gbps   ，相比上代翻倍，不过距离三星最新的  8   代  V-NAND   闪存的  2.4Gbps   还有点距离。
　　根据西数的计划，  BiCS6   闪存将从明年初开始生产，  但真正大规模量产要到  2022   年底了  ，现在的  BiCS5   闪存还要过渡至少一年。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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