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西数明年底量产BiCS6闪存162层堆栈接口速度翻倍

  2021   年闪存逐渐从  96   层过渡到了  128   层为主,再往下就是  170   层到  200   层的了,每家闪存厂商的方案都有所不同,西数将在明年底量产  BiCS6   代  3D   闪存,堆栈层数提升到  162   ,而且接口速度翻倍。
  在闪存市场上,西数跟东芝是合作研发、生产的,  BiCS   技术其实主要是来自东芝,目前量产的主力是  BiCS5   ,  2019   年  2   月份发布,堆栈层数  112   层,核心容量  512Gbit   ,接口速度  1.066Gbps   。
  BiCS6   闪存是下一代产品,堆栈层数最终确定为  162   层,而非之前所说的  170+   层,核心容量也提升到了  1Tbit   ,   另外就是接口速度也将达到  2.0Gbps   ,相比上代翻倍,不过距离三星最新的  8   代  V-NAND   闪存的  2.4Gbps   还有点距离。
  根据西数的计划,  BiCS6   闪存将从明年初开始生产,  但真正大规模量产要到  2022   年底了  ,现在的  BiCS5   闪存还要过渡至少一年。
  【来源:快科技】【作者:宪瑞】

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