作为全球  NAND   闪存市场的一哥，三星在  3D   闪存上又要领先其他厂商了，日前在三星技术论坛上，三星公布了第八代  V-NAND   的细节，堆栈层数超过  200   层，容量可达  1Tbit   ，  512GB   容量的厚度也只有  0.8mm   ，可用于手机。
　　三星的  V-NAND   闪存现在演员发展到了第七代  V-NAND V7   ，堆栈层数  176   层，  TLC   版核心容量  512Gbit   ，   而即将推出的  V-NAND V8   层数将超过  200   ——三星没提到具体多少层，但之前的报道中指出是  228   层，提升  30%   左右，存储密度提升了  40%   左右。
　　V-NAND V8   闪存的单颗核心容量也从之前的  512Gbit   翻倍到了  1Tbit   ，同时性能也更强，  IO   接口速率从  2Gbps   提升到了  2.4Gbps   ，性能更适配最新的  PCIe 5.0   标准。
　　得益于存储容量更大  . V-NAND V8   闪存的厚度依然可以控制在合理水平，  封装  512GB   容量也不超过  0.8mm   ，可以用于新一代智能手机。
　　在未来，三星的  V-NAND   闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过  500   层，这被视为  3D   闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造  1000   层堆栈的  3D   闪存。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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