台积电2nm工艺挤牙膏三星窃喜2025年赶超机会来了
前几天的技术论坛上,全球第一大晶圆代工厂台积电公布了芯片工艺路线图,其中 3nm 工艺就有 5 种之多, 2025 年将推出 2nm 工艺,用上 GAA 晶体管技术。
根据台积电的说法,相比 3nm 工艺,在相同功耗下, 2nm 速度快 10~15% ;相同速度下,功耗降低 25~30% 。
虽然这些指标看着不错, 但是 2nm 工艺的密度提升挤牙膏了,仅提升了 10% , 远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求,比之前台积电新工艺至少 70% 的密度提升也差远了。
2nm 工艺的难度显然成了一个挑战,这让台积电未来的密度提升越来越难,不过对竞争对手来说,台积电这次的挤牙膏让他们窃喜,有了追赶的机会。
不仅 Intel 的 20A/18A 工艺会在 2024-2025 年对台积电 2nm 带来压力,更大的麻烦还有三星, 三星使用 GAA 晶体管比台积电还要激进, 3nm 工艺上就会使用。
根据三星的计划, 3nm GAA 工艺预计会在 6 月份就试验性量产,相比 5nm 工艺,该工艺的性能提升 15% ,功耗降低 30% ,芯片面积减少 35% 。
三星也将 2nm GAA 工艺的量产时间定在 2025 年,跟台积电差不多同步, 这也是三星近年来首次的新工艺量产上追上台积电 ,此前都要慢上 1-2 年,导致缺乏竞争力。
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