前几天的技术论坛上，全球第一大晶圆代工厂台积电公布了芯片工艺路线图，其中  3nm   工艺就有  5   种之多，  2025   年将推出  2nm   工艺，用上  GAA   晶体管技术。
　　根据台积电的说法，相比  3nm   工艺，在相同功耗下，  2nm   速度快  10~15%   ；相同速度下，功耗降低  25~30%   。
　　虽然这些指标看着不错，   但是  2nm   工艺的密度提升挤牙膏了，仅提升了  10%   ，    远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求，比之前台积电新工艺至少  70%   的密度提升也差远了。
　　2nm   工艺的难度显然成了一个挑战，这让台积电未来的密度提升越来越难，不过对竞争对手来说，台积电这次的挤牙膏让他们窃喜，有了追赶的机会。
　　不仅  Intel   的  20A/18A   工艺会在  2024-2025   年对台积电  2nm   带来压力，更大的麻烦还有三星，  三星使用  GAA   晶体管比台积电还要激进，  3nm   工艺上就会使用。
　　根据三星的计划，  3nm GAA   工艺预计会在  6   月份就试验性量产，相比  5nm   工艺，该工艺的性能提升  15%   ，功耗降低  30%   ，芯片面积减少  35%   。
　　三星也将  2nm GAA   工艺的量产时间定在  2025   年，跟台积电差不多同步，  这也是三星近年来首次的新工艺量产上追上台积电  ，此前都要慢上  1-2   年，导致缺乏竞争力。

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