在半导体工艺进入  10nm   节点之后，  EUV   工艺是少不了的，但是  EUV   光刻机价格高达  10   亿一台，而且产量有限，导致芯片生产成本很高。日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，可以不使用  EUV   光刻机，工艺直达  5nm   。
　　据据日媒报导，铠侠从  2017   年开始与半导体设备厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件制造商  DNP   合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术  (NIL)   的量产技术，铠侠已掌握  15nm   量产技术，目前正在进行  15nm   以下技术研发，预计  2025   年达成。
　　与目前已实用化的极紫外光  (EUV)   半导体制程细微化技术相比，  NIL   更加减少耗能且大幅降低设备成本。
　　因  NIL   的微影制程较单纯，耗电量可压低至  EUV   生产方式的  10%   ，并让设备投资降低至  40%   。
　　而  EUV   设备由  ASML   独家生产供应，不但价格高，且需要许多检测设备配合。
　　Ŀǰ  NIL   在量产上仍有不少问题有待解决，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。
　　如果铠侠能成功率先引进  NIL   量产技术，可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，又能符合减少碳排放的需求。
　　对铠侠来说，  NAND   组件采取  3D   堆叠立体结构，更容易因应  NIL   技术的微影制程。
　　铠侠表示，已解决  NIL   的基本技术问题，正在完善量产技术，希望能率先引入  NAND   生产。
　　根据  DNP   说法，  NIL   技术电路精细程度可达  5nm   ，  DNP   从  2021   年春起，根据设备的规格值进行内部仿真。
　　DNP   透露，从半导体制造商询问增加，显示不少厂商对  NIL   技术寄予厚望。
　　而佳能则致力于将  NIL   技术广泛应用于制作  DRAM   及  PC   用  CPU   等逻辑  IC   的设备，供应多种类型的半导体制造商，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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