Intel200亿美元投资2座芯片工厂2024年首发20A埃米工艺

　　3   月份  Intel   新任  CEO   帕特·基辛格宣布了全新的  IDM 2.0   战略，其中主要内容就是投资  200   亿美元在美国建设  2   座新的晶圆厂。  9   月  24   日，基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基，  2024   年这些工厂要首发量产  20A   埃米工艺。
　　美国亚利桑那州是  Intel   晶圆生产的重镇，算上这次的投资，  Intel   公司  40   多年来已经在该地区投资了  500   亿美元，  CEO   基辛格表示这次的投资代表着  Intel   致力于在该领域长期投资，帮助美国半导体重回领先地位。
　　该投资计划预计将创造  3000   多个高技术、高薪酬的长期工作岗位，以及  3000   多个建筑就业岗位和大约  15000   个当地长期工作岗位。
　　Intel   公布了这里两座晶圆厂的细节，分别会命名为  Fab 52   、  Fab 62   ，并首次透露这些工厂将会在  2024   年量产  20A   工艺——这与之前预期的不同，原本以为会量产的是  Intel 4   这样的下两代工艺。
　　Intel 20A   工艺是今年  7   月份才公布的，是  Intel 10/7/4/3   工艺之后的升级版，而且首次进入后纳米时代，直接用了埃米（  A   代表的是  ?ngstrom   ，  1   纳米等于  10   埃米），技术细节美公布，但字面意义上看  20A   差不多就是  2nm   工艺的级别，符合  3nm   之后的摩尔定律升级规则。
　　20A   工艺除了  EUV   光刻工艺之外，还会有  2   大黑科技——  R ibbonFET   及  PowerVia   。
　　根据  Intel   所说，  RibbonFET   是  Intel   对  Gate All Around   晶体管的实现，它将成为公司自  2011   年率先推出  FinFET   以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。
　　PowerVia   是  Intel   独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
　　按照规划，  20A   工艺预计会在  2024   年量产，届时台积电的  2nm   工艺应该也会问世，  Intel   的工艺再次回到最先进水平。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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