与逻辑工艺一样，内存芯片工艺在进入  20nm   节点之后也陷入了难以制造的境地，三星作为全球内存一哥虽然走在了技术开发的前列，但是在新一代内存研发上也面临困难，最新消息称  13nm   工艺的内存已经宣告失利。
　　简单说下，内存工艺在  20nm   节点之后就有不同断代方法，之前用的是  1x   、  1y   、  1z   ，后来又有了  1a   、  1b   、  1c   工艺，不过三星、  SK   海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样，有时公布的还是数字  +nm   命名的，反正内存工艺命名是有些混乱的。
　　总体来说，三星在  DRAM   工艺上是最先进的，  2020   年率先研发成功  1z   工艺内存，大概是  15nm   级别的，   2021   年又宣告研发成功  1a   工艺内存，也就是  14nm   工艺的，还首次使用了  EUV   光刻工艺。
　　再往下就是  1b   工艺了，大概是  12-13nm   级别，   三星去年宣布成立专门的研发团队攻克  1b   工艺内存，然而最新消息称三星已经中断了研发，  13nm   级别的内存被间接承认失败。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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