CPU   、  GPU   为代表的逻辑工艺制程进入  7nm   之后，  EUV   光刻工艺是少不了的，现在内存还停留在  10nm   工艺级别，暂时没用到  EUV   工艺。不过三星、  SK   海力士及美光也确定未来会用，其中美光的  EUV   工艺内存在  2024   年量产。
　　美光  CEO Sanjay Mehrotra   日前在采访中确认，美光已将  EUV   技术纳入  DRAM   技术蓝图，将由  10nm   世代中的  1γ   （  gamma   ）工艺节点开始导入。
　　美光  EUV   工艺  DRAM   将会先在台中  A3   厂生产，预计  2024   年进入量产阶段。
　　注意，这个是  1γ   工艺，不是之前的  1y   工艺，  10nm   级别的内存工艺中前三代是  1x   、  1y   、  1z   ，再往后是  1a   、  1   β、  1γ   等。
　　在美光之前，三星及  SK   海力士都更早进入了  EUV   节点，从去年底就开始部署  EUV   光刻工艺了，  而且比美光更激进，最快在  1a   工艺节点就会量产  EUV   内存芯片。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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