台积电2nm工厂2024年量产与三星Intel决战GAA晶体管技术
前几天 Intel 发布了最新的 CPU 工艺路线图,瞄准 2024 年的 20A 工艺也首次亮相,会使用 GAA 晶体管工艺, Intel 推出了 RibbonFET 及 PowerVia 两项革命性技术。
接下来是 Intel 18A ,预计 2025 年初投产, 继续强化 RibbonFET ,还有下一代高 NA EUV 光刻,与 ASML 合作。
Intel 决心在半导体工艺上重回领导地位,台积电也面临压力,好消息是他们的 2nm 工艺 Fab20 日前获批。
据介绍, Fab20 工厂将分为 4 期厂房逐步动工, ǰ 2 期厂房预估会在 2023 年下半年完工并展开装机作业, 2024 年下半年可望进入量产阶段, 2nm 工艺 4 期厂房全部完工量产要到 2025 ~ 2026 年,总月产能将逾 10 万片规模。
台积电的 2nm 工艺虽然没有详细规格流出,但也会上 GAA 晶体管,台积电为此开发了新的 nanosheet 纳米片技术,可以更好地控制阈值电压 (Vt) ,波动降低至少 15 %,将大大改善芯片设计、性能。
除了 Intel 、台积电之外,三星的 3nm 工艺工艺也会在 2024 年左右量产,尽管 3nm 跟 2nm 工艺还差了一代,但三星是首个进入 GAA 晶体管工艺的厂商,依然不容小觑,这三大半导体巨头将在 2024 年有一场恶战, GAA 技术表现如何,三家厂商的表现让人关心。
【来源:快科技】【作者:宪瑞】