AMD   及  Intel   的新一代平台已经支持了  DDR5   内存，双通道的带宽轻松超过  50GB/s   ，高频版的逐渐逼近  100GB/s   ，然而这个性能跟  HBM3   内存比起来还是小巫见大巫，三星已经研发了新的  HBM3   内存，带宽轻松超过  1024GB/s   。
　　JEDEC   组织今年初发布了  HBM3   的标准，继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级，其中传输数据率在  HBM2   基础上再次翻番，每个针脚  (pin)   的传输率为  6.4Gbps   ，配合  1024-bit   位宽，单颗最高带宽可达  819GB/s   。
　　三星研发的新一代  HBM3   内存阵脚速率更高，达到了  8Gbps/pin   ，堆栈  4   颗的情况下带宽轻松达到  1024GB/s   ，是  DDR5   内存的十几倍。
　　另外，频率越高的话出错也更多，为此三星还有更强的内存纠错功能，  每个  HBM   内存芯片都内置了  1   组  ECC   纠错电路  ，确保数据准确性。
　　三星的  HBM3   内存没有公布何时上市，不过真要应用的话应该也会首先用于数据中心显卡及处理器上，消费级平台使用的可能性不大，毕竟  HBM3   的成本是普通用户无法承受的。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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