全球目前量产的 最先进工艺是 5nm ，台积电明年就要量产 3nm 工艺，不过 3nm 节点他们依然选择 FinFET 晶体管技术，三星则选择了 GAA 技术，日前三星也成功流片了 3nm GAA 芯片，迈出了关键一步。
　　在 3nm 节点，三星比较激进，直接选择了下一代工艺技术—— GAA 环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET （ Multi-Bridge-Channel FET ，多桥 - 通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。
　　根据三星的说法， 与 5nm 制造工艺相比， 3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 35% 以上，功耗降低了 50% ，性能提高了约 30% 。
　　三星早在 2019 年就公布了 3nm GAA 工艺的 PDK 物理设计套件标准，这次 3nm 芯片流片是跟 Synopsys 合作完成的，双方联合验证了该工艺的设计、生产流程，是 3nm GAA 工艺的里程碑。
　　不过三星、 Synopsys 并没有透露这次验证的 3nm GAA 芯片的详情，官方只说 GAA 架构改进了静电特性，提高了性能，降低了功耗。
　　3nm GAA 工艺流片意味着该工艺量产又近了一步，不过最终的进度依然不好说，三星最早说在 2021 年就能量产，后来推迟到 2022 年，但是从现在的情况来看，明年台积电 3nm 工艺量产时，三星的 3nm 恐怕还没准备好，依然要晚一些。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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