投资180亿美元三星有意在美国建5nmEUV芯片厂
在新一代半导体工艺中,美国本土的厂商已经落后于三星、台积电, Intel 最先进的工艺现在还是 10nm 。日前有消息称三星准备在美国建设 5nm EUV 芯片厂。
据韩媒援引业内人士消息, 三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立 EUV 半导体工厂,以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。
该工厂将采用 5nm 制程,计划于今年 Q3 开工, 2024 年投产,预计耗资 180 亿美元。
这次在美国建厂也是三星电子首次在韩国之外设立 EUV 产线。
业内估计三星将在 5 月 21 日左右就此发布正式公告。
在此之前,台积电去年宣布,将在美国亚利桑那州建设一座芯片工厂,建成之后将采用 5nm 工艺为相关的客户代工芯片,计划月产能 20000 片晶圆,这一工厂计划 2021 年开始建设,目标是 2024 年投产,台积电计划 2021 年到 2029 年在这一工厂投资 120 亿美元。
最新消息称,台积电管理层目前正在讨论,他们在美国的下一座芯片工厂,是否采用更先进的 3nm 制程工艺,为相关的客户代工芯片。
【来源:快科技】【作者:宪瑞】