国产半导体厂商正在一步步追赶国际先进水平，日前华虹半导体宣布，  该公司推出的  90nm BCD   工艺已经在华虹无锡  12   英寸生产线已实现规模量产。
　　华虹指出，    90nm BCD   工艺具备性能高、核心面积较小等优势，    拥有更佳的电性参数，并且得益于  12   英寸制程的稳定性，良率优异，为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案。
　　90nm BCD   工艺还是先进工艺？对不了解半导体工艺的人来说可能真有这个疑问，这个新工艺的重点是  BCD   ——  BIPOLAR-CMOS-DMOS   ，是  ST   意法半导体在  80   年代发明的功率芯片技术。
　　BCD   是一种复杂的硅芯片制造工艺，  每种  BCD   工艺都具备在同一颗芯片上成功整合三种不同制造技术的优点  ，包括用于高精度处理模拟信号的双极晶体管，用于设计数字控制电路的  CMOS   （互补金属氧化物半导体）和用于开发电源和高压开关器件的  DMOS   （双扩散金属氧化物半导体）。
　　ST   意法目前依然是全球领先的  BCD   工艺制造商，  35   年来生产了  500   万片晶圆，售出  400   亿颗芯片，仅  2020   年就售出近  30   亿颗芯片，工艺发展了十代了，此前主要是  350nm   、  180nm   、  110nm   等，  最新量产的十代工艺也是  90nm BCD   。
　　从这一点上来看，华虹的  90nm BCD   工艺确实是该领域的先进工艺，技术优势明显，而中芯国际等国内其他代工厂也在开发  90nm BCD   工艺，华虹的进度也是领先的。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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