在半导体制造上，国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备，光刻胶也是重要的一环。南大光电日前宣布，该公司研发的高端  ArF   光刻机已经获得了国内某企业的认证，用于  55nm   工艺制造。
　　南大光电于  5   月  31   日晚间发布公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的  ArF   光刻胶继  2020   年  12   月在一家存储芯片制造企业的  50nm   闪存平台上通过认证后，   近日又在逻辑芯片制造企业  55nm   技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备  55nm   平台后段金属布线层的工艺要求。
　　不过南大光电没有透露具体的客户名字。
　　在光刻机市场上，国内自给率极低，欧美日等地区的厂商占据主要份额，  JSR   、信越化学等  TOP5   厂商占据全球  87%   的份额。
　　光刻胶有不同的技术类别，低端的中  g   线  /i   线光刻胶自给率约为  20%   ，  KrF   光刻胶自给率不足  5%   ，  而高端的  ArF   光刻胶完全依赖进口，是国内半导体的卡脖子技术之一。
　　虽然南大光电的  ArF   光刻胶现在通过的是  55nm   工艺认证，但  ArF   光刻胶涵盖的工艺技术很广，   可用于  90nm-14nm   甚至  7nm   技术节点制造工艺，    广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、  AI   芯片、  5G   芯片和云计算芯片等）。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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