在  NAND   闪存行业，随着长江存储在  2019   年量产自研的  64   层闪存，国内厂商已经杀进了这个行业，自研的  Xtacking   晶栈技术不熟三星等五大原厂，连续推出了  64   层、  128   层产品之后，今年要量产  192   层闪存了。
　　电子时报援引产业人士消息称，  长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的  192   层  3D NAND   闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。
　　此外，由于长江存储  128   层  3D NAND   闪存工艺良率已改善至较好水平，长江存储也将月产量扩大至  10   万片晶圆。
　　预计到  2023   年底，长江存储月产量可能超过  20   万片，全球市场份额有望达到  7-8%   。
　　在  3D   闪存方面，目前美光、三星都已经量产  176   层闪存，西数、铠侠之前合作的是  112   层闪存，今年将量产  162   层堆栈的闪存，长江存储  192   层闪存技术水平达到甚至超过了他们的量产型闪存。
　　不过三星今年底将量产  224   层堆栈的新一代  3D   闪存，美光前几天也官宣了  232   层堆栈的  3D   闪存，只是要到明年才能量产，总体上还是会领先国产  1-2   年时间。
　　对于国产闪存来说，目前最关键的地方还不是技术，而是产能，长江存储两期工程的总产能也不过  30   万晶圆  /   月，相比三星、铠侠等公司来说还是低不少，特别是这几年全球半导体厂商都在扩大产能，  2021   年全球产能应该会超过  200   万晶圆  /   月，未来几年有望超过  250   万晶圆  /   月。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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