传英特尔18A芯片制造技术提前6个月推出

　　根据最新传言，芯片设计者英特尔公司的18A半导体制造技术计划提前投入使用。  该公司目前正在花费巨资，以恢复和扩大其芯片制造。这是英特尔首席执行官帕特里克格辛格先生去年宣布的战略的一部分，该公司计划通过该战略向市场推出新的制造技术，并扩大生产，也允许其他公司向英特尔提交他们的设计进行制造。
　　作为这一战略的一部分，该芯片制造商的目标是每年推出一项新的制造技术，其英特尔4技术预计将在今年晚些时候进入工厂车间。然而，半导体制造市场的竞争非常激烈，英特尔的主要竞争对手台湾半导体制造公司（TSMC）已经制定了若干先进工艺技术的计划，最终达到2nm半导体制造节点。
　　今天的传言称，英特尔对台积电2nm技术的回应，即英特尔18A节点，据称准备提前投产。它援引行业内的消息来源称，这项技术将比预期提前进入生产。如果传言成真，英特尔和台积电在2nm生产方面将不相上下
　　英特尔的技术路线图是在去年7月公布的，它概述了五种新的制造技术。它还对这些技术进行了重新命名，以使其与台积电提供的产品保持一致。在重塑品牌之前，英特尔的技术被认为是比台湾公司提供的技术更上一层楼。例如，在更名之前，当提及两种工艺所打印的晶体管的关键尺寸时，台积电的7nm工艺节点被认为在理论上等同于英特尔的10nm工艺，。
　　这家美国公司的技术路线图列出了新命名的英特尔10、英特尔7、英特尔4、英特尔3、英特尔20A和英特尔18A制造工艺。在这些工艺中，18A是最先进的工艺，当时英特尔概述了这项技术将在2025年下半年投入生产。
　　现在，根据EET-China和ITHome分享的据称来自业界的报告，18A节点，相当于1.8nm，将在2024年下半年进入生产，比计划提前6个多月。如果传言最后成真，那么当涉及到后者的可比2nm芯片制造工艺时，英特尔将与台积电并驾齐驱。台积电首席执行官发言表明，该公司预计该技术将在2025年进入大规模生产。这与英特尔对18A节点的官方时间表相吻合。
　　2020年出现的传言显示，台积电可能用于2nm的多桥通道场效应（MBCFET）晶体管可以在2024年进入生产。MBCFET晶体管通过给晶体管增加更多的传导区域，扩大了大多数公司目前使用的FinFET设计。然而芯片制造商目前正专注于3nm制造工艺， 三星 晶圆厂和台积电都在为大规模生产而努力。英特尔的英特尔4工艺位于其竞争对手的5nm和3nm节点之间，定于在今年下半年进入生产。
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