NZXTC850金牌电源供应器十年保固全模组设计全日系电容接头更丰富
在今年 1 月时,NZXT 推出了 C 系列电源供应器,整体共有三个型号与瓦数,分别为 650、750、850W,全部皆具备十年保固、80 PLUS 金牌转换效率与全模组化的设计,整体而言当然是隶属于高阶的电源产品定位。
先前我们已经介绍过了 750W 版本的 C750,这回我们将介绍其中瓦数最大的 850W 版本 : C850, 并详细介绍给各位玩家这款电源在内部构造与相关的输出表现。
产品规格一览 :
产品型号 : NZXT C850
规格标準 : ATX 12V 2.4
保固 : 10 years
输入电压、电流 : 100-240 VAC、10A-5A
PFC 类型 : 主动式 PFC
转换效率 : Up To 92%
尺寸 : 150(L) x 150(W) x 86(H)
MTBF : 100,000 hours
运作温度 : 0~50°C
安规规範 : CB / CE / FCC / TUV / cTUV-SUDus / China CCC / Taiwan BSMI / Australia RCM / EAC
风扇尺寸 : 120mm
80 PLUS 认证 : 金牌认证
接头 : 1 x ATX 20+4 Pin、2 x CPU EPS 4+4 Pin、6 x 6+2 Pin PCI-E、8 x SATA、6 x Molex
不仅瓦数提升,接头介面更丰富
相较于 C750 而言,选择 C850 的理由除了瓦数的提升以外,在接头方面更是相对丰富,在 PCI-E 接头上由原本的 2 组 4 个提升至总共 3 组 6 个,此外更具备了两组 CPU EPS 4+4 Pin,对于现今越来越多主机板选择使用双 EPS 供电的设计,选择 C850 可以说是更加适合。
↑ 外包装一览,这回 NZXT 在 C 系列上的外包装都是採用白色搭配靛蓝色的简约风格配色。
↑ 包装内部有着 BUILD THE EXTRAORDINARY 的文字。
产品内部包含电源供应器本体、模组线、电源线、螺丝、说明书等配件,模组线收纳包装特别也採用湛蓝色配色。
↑ 相关配件与模组线材一览,对于有用不到的多余模组线,玩家可以直接收纳于收纳包中,十分方便。
模组化线材与电源线一览。实际量测线材长度,ATX 20+4 Pin 为 63 公分,PCI-E 两个插槽分别为 69 与 75 公分,CPU EPS 为 68 公分。SATA 线材分别四个孔为 51、61、72、82 公分。 Peripheral (Molex 4 Pin) 的 3 个插槽长度分别为 51、61、72 公分。
↑ 线材实际长度量测,在此处也可见到主要的 ATX 24 Pin、PCI-E、CPU EPS 线材尾端皆有加上电容,提供更优质的输出表现加成。
↑ 电源供应器本体一览,后方有风扇智慧停转的按钮。
↑ 模组化接线板位置。
↑ 输出与规格资讯铭牌。
海韵金牌架构,主电容容值提升,最佳相容性与可靠性的保证
本次评测我们将这款 NZXT C850 的电源进行拆解,以解析内部用料细节给各位玩家看。
外壳拆解一览,相信对于资深玩家而言,一眼即可看出这款 PSU 採用了海韵代工的方案与架构,为各位玩家带来最优质的用料与最可靠的架构与相容性保证。
↑ 外壳拆解图片。
↑ PCB 背面,採用黑色的 Solder Mask,焊点方面做工十分优秀,整体完全没有用到飞线,製造工艺十分良好。
↑ 在风扇方面採用鸿华 HA1225H12F-Z FDB 轴承扇,12V、0.58A、2200 rpm。并且贴有塑胶导风板将气流导向电源内部发热量较大的部件。
一次侧 EMI 方面具备 Champion CM02X X 电容放电 IC,相较于一般使用放电电阻并联在 X 电容上的设计,能够减少电力必须通过电阻而造成的功率损失。这也是许多高阶高转换效率所必备的料件之一。AC 输入端 (一阶 EMI) 方面具备 1 个 Cx 与 2 个 Cy 电容,实体开关仅切断棕色 L 线。
↑ 电源输入端一览,背面可见 Champion CM02X X 电容放电 IC。
二阶 EMI 位于 PCB 板上,包含 1 个 Cx 电容,两个共模电感,2 个 Cy 电容。保险丝採用直立式安装并加上热缩套,MOV 涌浪保护元件也位于此处。
↑ 二阶 EMI 一览。
桥式整流器部分採用两枚 LITEON GBU1508,并锁在散热片上加强散热。APFC Boost 电感採用封闭式 PQ 型磁芯元件形式,另一旁可见用于 PFC Pi-type filter 的蓝色 MPE 电容。
↑ 桥式整流器元件、MPE 电容一览。
↑ 此处可以看到 APFC 电感上方有着 Seasonic 的标誌。
APFC 开关晶体与升压二极体均锁在散热片上加强散热。APFC 开关晶体型号为两枚英飞凌 IPA60R180P7S,APFC 升压二极体则为意法半导体 STTH8S06D,阴阳 (A、K) 极上皆有套上磁珠。此处另可见 NTC 与继电器,NTC 用以抑制 Inrush Current,而继电器 (Relay) 会将 NTC 短路,去除 NTC 作用所造成的转换功率损失,同样是为了增进转换效率而设计的。
↑ 一次侧 APFC 与 NTC、Relay 相关元件一览。APFC 开关晶体在 Gate 极上有额外套上磁珠,抑制寄生震荡。
↑ BULK 电容 (APFC 主电容) 採用日立 HU 系列 400V 680μF、耐温 105°C,相较于 C750 的 560μF 有所提升。
↑ APFC 控制器採用虹冠 CM6500UNX,算是十分常见的 APFC 方案。
NZXT C850 採用全桥 (Full-Bridge) 架构,因此主具备四枚开关晶体,均採用虹冠 GPT10N50ADG,具全绝缘封装设计可避免灰尘或湿气累积造成打火或短路的状况,同样皆在 Gate 极上有额外套上磁珠。
↑ 主开关晶体一览,晶体本身接处于散热片上散热。
电源中间的部分为 LLC 电路区,可见 LLC 谐振电感、谐振电容、一次侧电流 CT (比流器),一旁驱动隔离变压器也位于此处。
↑ LLC 谐振电感 (白框)、谐振电容 (橘框)、一次侧电流 CT 比流器 (绿框)、驱动隔离变压器 (黄框) 一览。
↑ 主变压器特写一览。
二次侧採用同步整流 (SR) 与 DC-DC 方案。+12V 採用同步整流控制,+5V 与 +3.3V 则採用位于 Riser Board 上方的元件以从 +12V D2D 转换出去的方式输出。LLC 控制器与同步整流均採用 IC 为虹冠 CM6901T6X SLS (SRC/LLC+SR) 方案。
↑ 虹冠 CM6901T6X SLS (SRC/LLC+SR) IC。
+12V 同步整流晶体为 4 枚 Nexperia PSMN2R6-40YS LFPAK 封装,位于 PCB 板背面。并且透过正面额外加大的散热片协助散热。
↑ Nexperia PSMN2R6-40YS 同步整流 MOSFET。
↑ 正面散热片一览,各有额外加上鳍片增加散热能力。
+3.3V 与 +5V 採用 Riser Board 上方的元件进行转换,子板上方均採用固态电容,具体晶体与控制器型号由于被后方散热片挡住故无法得知。若从海韵相同架构相同瓦数的产品推断,应同样为 Anpec APW7159C 双通道 DC-DC 控制器,搭配六枚英飞凌 BSC0906NS ( +3.3V 与 +5V 各使用三枚) 的 MOSFET 达成。
↑ DC-DC Riser Board 一览,后方散热片具导热胶接触相关元件以加强散热。
+5VSB 直接自 AC 转换,採用杰力 EM8569C (整合 PWM 待机控制器与内建 MOSFET) 、待机辅助变压器,并搭配 MCCSemi MBR1045ULPS 进行输出。
↑ Excelliance MOS EM8569C IC 与待机辅助变压器一览。
↑ MCCSemi MBR1045ULPS 位于 PCB 背面。
电源管理监控 IC 与隔离高 / 低压区的光耦合器皆主要位于 PCB 背面。电源管理监控 IC 採用 WeltrendWT7527V,提供 OVP / UVP / OCP / SCP 等保护,并接受主机板发出的 PS-ON 信号与生成 PG (Power Good) 信号。
↑ WeltrendWT7527V 电源管理监控 IC。
↑ 三枚光耦合器。
在二次侧电容方面也均採用日系电容。固态电容方面採用 FPCAP、日本化工 PSF、PSE 的厂牌品种,部分电路上甚至更进一步使用 FP5K 的高寿命品种。电解电容则为日本化工 KY、KZE 与 Rubycon YXG 的厂牌与系列。在使用寿命方面提供相当不错的保障。
↑ 电容用料一览。
电源模组化接线板上方亦放有数枚电容增进输出品质。
↑ 电源模组化接线板正面一览。
NZXT C850 电源用料简表
内部用料简表
架构一次侧
全桥 LLC 谐振
架构二次侧
DC-DC + 同步整流 (SR)
一次侧
EMI Filter
4x Cy 电容 (主要)、1x Cy 电容 (for +5VSB)、2x Cx 电容、
2x 共模电感, 1x Champion CM02X、1x MOV
桥式整流器
2x LITEON GBU1508 (800V, 15A)
APFC 开关晶体
2x Infineon IPA60R180P7S (650V, 18A @150°C, 0.34Ω)
APFC 升压二极体
1x STMicroelectronics STTH8S06D (600V, 8A)
BULK 电容
1x Hitachi HU 400V 680μF 105°C
主开关晶体
4x Champion GPT10N50ADG(500V, 9.7A @25°C, 0.7Ω)
APFC 控制 IC
Champion CM6500UNX
二次侧
二次侧滤波电容
电解电容
RubyCon YXG、NCC KY、NCC KZE
固态电容
Nichicon FPCAP、NCC PSF 、NCC PSE
同步整流 IC
+12V : CM6901T6X
同步整流晶体
4x NXP PSMN2R6-40YS (40V, 100A @25°C, 2.8mΩ)
DC-DC 控制 IC
+3.3V & +5V : 1x Anpec APW7159C (?)
DC-DC 晶体
+3.3V & +5V :
6x Infineon BSC0906NS (30 V, 40 A @100 °C , 0.0045Ω @25°C) (?)
监控 IC
Weltrend WT7527V
风扇
鸿华 HA1225H12F-Z FDB,12V、0.58A、2200 rpm
+5VSB 电路
Rectifier
1x MCCSemi MBR1045ULPS (45V, 10A)
控制 IC
Excelliance MOS EM8569C
*(?) 表示仅为推测,无法完全确定。
NZXT C850 电源电压稳定度测试
本次测试使用高阶的 I9-9900K 平台。并且搭配 AMD Rx Vega 64 与 AMD Rx Vega 56 两张显卡进行测试。以确保能够达到足够的功耗。
测试平台:
CPU: Intel i9-9900K
RAM: Team T-Force Xtreem ARGB DDR4 3600 16G (8Gx2)
MB: ASUS ROG MAXIMUS XI EXTREME Z390
VGA:
AMD Rx Vega 64 公版 x1
AMD Rx Vega 56 公版 x1
SSD: Corsair MP600 1T M.2 2280 PCIe SSD
PSU: NZXT C850 (测试主角)
OS: Win10 x64 Pro 1909
INPUT VOLTAGE : AC 110V / 60Hz
这次我们将具备电力监测功能的延长线接上电源线,来进行测试。此延长线可同时测得电压、电流、功率、交流电频率、Power Factor (P.F.) 值等数值。
量测使用优立得 UT61-E 电表,并使用其附带的 RS232 Data logging 功能于另一台电脑上记录数据,以 EXCEL 来製作折线图表并以 Windows 内置的剪取工具编辑。
测试使用以上配备,使用 Furmark GPU Stress 对整个平台进行负载测试;一开始先以待机状态量测 2 分钟,之后运行上述程式 6 分钟,再关闭 2 分钟。每次测试总共约 10 分钟,以观察电压变化。
↑ 实际装机情况一览。
↑ 待机时,110V AC 端耗电约 57.70W。测试时 110V AC 端耗电约 601.2W。另外受惠于主动式 PFC 架构,P.F. 值几乎都有 0.9 以上。
测试结果如下图。
↑ CPU EPS 4+4Pin +12V 量测结果。
↑ PCI-E 6+2Pin +12V 量测结果。
↑ ATX 20+4Pin +3.3V 量测结果。
↑ MOLEX 4Pin +12V 量测结果。
↑ MOLEX 4Pin +5V 量测结果。
NZXT C850 心得结论 : 用料小提升,模组线接头数量增加
对于 NZXT C850 而言,架构方面自然是一样的,整体的用料中比较大的差距就在于 BULK 电容採用了较大的容值,此外在模组线材方面也附上了更多的数量,尤其以 CPU EPS 4+4 Pin 附上两条这点,对于现今越来越多主机板为了应付逐渐增长的 CPU 耗电量而转用双 EPS 的设计恰好更可以应付。
电压表现方面,以本次採用一般 DIY 平台的测试结果显示,最低电压与 +12V 偏离约 0.98%,其余 +5V 与 +3.3V 更是有着更低的偏离,整体的输出表现可说是十分的优良。
无论是 NZXT 的 C750 或是 C850,整体的用料与输出表现都是相当不错的,玩家们可以根据自己所选择的零组件进行适合的瓦数选择。
来源: NZXT C850 金牌电源供应器 / 十年保固、全模组设计、全日系电容,接头更丰富
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