日前  IEEE   电子电器工程师协会宣布，  FinFET   晶体管发明人胡正明（  Chenming Hu   ）获得了  2020   年的  IEEE   荣誉奖章，这是  IEEE   协会的最高奖励，这一技术使得摩尔定律延寿了数十年。
　　自从  1965   年，  Intel   联合创始人戈登·摩尔提出“摩尔定律”以来，半导体工艺一直按照这个规律发展，  2   年提升一倍的晶体管密度。
　　不过摩尔定律原本应该终结了，因为按照之类的发展，传统硅基半导体工艺制造难度越来越大，特别是在  28nm   工艺之后。
　　胡正明教授在这个问题上贡献很大，  他于  1999   年发明了  FinFET   晶体管，也叫鳍式晶体管或者  3D   晶体管，就是因为晶体管的形状与鱼鳍的相似性。
　　FinFET   晶体管的设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长，  FinFET   闸长已可小于  25nm   ，未来预期可以进一步缩小至  9nm   ，约是人类头发宽度的  1   万分之  1   。
　　Intel   在  2012   年正式量产了  3D   晶体管技术，首发的是  22nm   工艺，当时台积电、三星还停留在  28nm   工艺上，之后在  16/14nm   节点上他们才进入了  FinFET   晶体管时代。
　　从这一点上来说，   胡正明教授发明的  FinFET   技术不仅拯救了摩尔定律，  Intel   、  AMD   、  NVIDIA   、苹果、华为、高通、三星等半导体行业的公司都受益于胡正明教授的发明。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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