多年来，存储器制造商一直试图在单个封装中集成动态随机存储器（RAM）和闪存（NAND）的共同优势，但一直收效甚微。 新型非易失性存储器，有望成为技术突破的一个关键。其具有类似于 RAM 的运行速度、以及 NAND 的断电非易失特性。 能够瞬时打开、并从上次中断的位置恢复，为即时（Instand-On）PC 的到来而铺平道路。 资料图（来自： Intel ，via TechSpot ） 经常关注存储技术的朋友，可能或多或少地听说过几种可让 RAM 和 SSD 运行更快、更密集、更节能的新技术。 另有一些研究试图推动“内存中计算”的方法，从根本上消除了数据在处理器、内存等部件之间往返所导致的性能滞后。 上述想法都基于如下事实，即将数据写入 DRAM，是一种快速且节能的方案。可一旦断电，数据的完整性也难以维持。此外系统必须不断刷新数据，导致效率不是很高。 另一方面，NAND 是一种相对健壮的数据存储方式，只是写入和擦除的速度太慢，导致存储单元性能下降，难以取代现有的 DRAM 。 好消息是，英国兰开斯特大学的研究人员称，他们已经打造了一种新型的非易失性存储器 —— 速度可与 DRAM 媲美，写入能耗却仅为百分之一。 这项技术被称作 UK III-V 存储器，其基于 20nm 光刻工艺制造，写入时间仅为 5ns（与 DRAM 相当），且提供了类似闪存的简单读取特性。 更棒的是，这是一种非易失性存储，能够在断电时保持数据的完整性。 （UK III-V 原型晶体管） 截至目前，原型装置已能够通过 2.1V 的电压来擦除和编程数据。相比之下，典型 NAND 单元需要施加 3V 的擦除电压。 通过使用交替的 GaSb（锑化镓）和InAs（砷化铟）层，研究团队打造出了所谓的“双阱共振隧道结”，并达成了这一目标。 新型存储单元的工作方式与闪存类似，使用“浮栅”来存储“0”或“1”，但此处 InAs 浮栅被不连续的 GaSb 和 AlSb 大导带所隔离。 简单来说，UK III-V 存储器中使用的晶体管，具有更好的开关状态。它们被设计为利用两种材料来确保将信息存储特别长的一段时间。 尽管没有披露读取操作所需的功耗等细节，但首席研究员 Manus Hayne 表示：在重复读取“1”的时候，新型存储器无需重建或不断刷新来确保数据的完整性。 当然，最让我们感兴趣的，莫过于即使在断电的情况下，UK III-V 内存亦可保留数据、并在通电后瞬时返回上上次工作中断的位置。 Manus Hayne 称，团队正在为新技术申请专利，未来有望搅动 1000 亿美元的 DRAM 和闪存市场。 【来源：cnBeta.COM】