【PConline 资讯】日前，西部数据宣布其已开始生产业内最密集的3D NAND闪存芯片，堆叠达到了64层。每单元存数比特位数也从2增加到了3（就是从MLC变成了TLC）。西数及其合作伙伴东芝将其“垂直3D堆叠技术”称作Bit Cost Scaling（简称 BiCS）。
　　其生产过程类似摩天楼的建造过程，一层一层地堆叠至64层，在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，使得每Gb的成本效益更加明显。此外，这项技术还增加了数据可靠性、以及固态存储是速度。
　　三星是首家宣布量产3D 闪存芯片的企业（2014 年），其技术被命名为 V-NAND，起初只堆叠了32层，但也将存储位元从MLC改进到了TLC。所以其TLC产品的容量（128 Gbits / 16 GB）比东芝初代48 层NAND芯片还要高）。
　　西数于 2016 年 7 月首次向公众展示了其 64 层 3D NAND 技术，新芯片已于日本四日市制造工厂开始试产，该公司计划在 2017 年 下半年开始量产。
　　3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，是大势所趋。

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