三星的晶圆代工部门最近负面不断，此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报  5nm   、  4nm   、  3nm   工艺制程的良品率，以致于高通这样的  VIP   客户都要出走，重新使用台积电生产骁龙  8   处理器。
　　不过从技术上来说，三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂，虽然在  7nm   、  5nm   及  4nm   节点上落后了一些，但在接下来的  3nm   节点三星更激进，要全球首发  GAA   晶体管工艺，放弃  FinFET   晶体管技术，而台积电的  3nm   工艺依然会基于  FinFET   工艺。
　　三星之前表示，  GAA   是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了  MBCFET   （  Multi-Bridge-Channel FET   ，多桥  -   通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代  FinFET   晶体管技术。
　　根据三星的说法，与7  nm   制造工艺相比，  3nm GAA   技术的逻辑面积效率提高了  45%   以上，功耗降低了  50%   ，性能提高了约  35%   ，纸面参数上来说却是要优于台积电  3nm FinFET   工艺。
　　当然，这些还是纸面上的，三星的  3nm   工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，之前三星宣传  2021   年就量产，实际上并没有，最快也是今年，而且首发的是  3GAE   低功耗工艺，高性能的  3GAP   工艺至少要  2023   年了。
　　据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的  P3   工厂开工建设  3nm   晶圆厂了，  6   、  7   月份动工，并及时导入设备。
　　按照这个进度，今年的  3GAE   工艺应该也只会是小规模试产，大规模量产也要到明年了，跟台积电的  3nm   工艺差不多，两家都因为种种问题延期量产  3nm   工艺了。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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