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三星3nm工厂即将动工全球首发GAA工艺

  三星的晶圆代工部门最近负面不断,此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报  5nm   、  4nm   、  3nm   工艺制程的良品率,以致于高通这样的  VIP   客户都要出走,重新使用台积电生产骁龙  8   处理器。
  不过从技术上来说,三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂,虽然在  7nm   、  5nm   及  4nm   节点上落后了一些,但在接下来的  3nm   节点三星更激进,要全球首发  GAA   晶体管工艺,放弃  FinFET   晶体管技术,而台积电的  3nm   工艺依然会基于  FinFET   工艺。
  三星之前表示,  GAA   是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了  MBCFET   (  Multi-Bridge-Channel FET   ,多桥  -   通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代  FinFET   晶体管技术。
  根据三星的说法,与7  nm   制造工艺相比,  3nm GAA   技术的逻辑面积效率提高了  45%   以上,功耗降低了  50%   ,性能提高了约  35%   ,纸面参数上来说却是要优于台积电  3nm FinFET   工艺。
  当然,这些还是纸面上的,三星的  3nm   工艺挑战也不少,光是量产就是个问题,之前三星宣传  2021   年就量产,实际上并没有,最快也是今年,而且首发的是  3GAE   低功耗工艺,高性能的  3GAP   工艺至少要  2023   年了。
  据韩国媒体报道,三星已经准备在韩国平泽市的  P3   工厂开工建设  3nm   晶圆厂了,  6   、  7   月份动工,并及时导入设备。
  按照这个进度,今年的  3GAE   工艺应该也只会是小规模试产,大规模量产也要到明年了,跟台积电的  3nm   工艺差不多,两家都因为种种问题延期量产  3nm   工艺了。
  【来源:快科技】【作者:宪瑞】

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