经过几年的追赶，国产  DRAM   内存芯片由合肥长鑫在  2019   年量产，首发的是  19nm   工艺，今年合肥长鑫就要推出下一代的  17nm   工艺内存芯片了，不过首发产品不是传闻中的  DDR5   ，而是  DDR4   。
　　来自大摩的分析称，   合肥长鑫的  17nm   工艺  DRAM   芯片良率已经达到了  40%   ，预计  Q2   季度就会给客户供应产品，其成本相比台系厂商的  20nm   、  25nm   工艺内存更有优势。
　　至于生产方面，大摩称合肥长鑫的产能今年会增加到  8   万片晶圆  /   月，并在北京新建工厂，量产  17nm   工艺内存芯片。
　　此前的报道中，  长鑫还会研发  7nm   及以下工艺的  DDR5   、  LPDDR5   等内存，再下一代的  10G5   工艺中，除了  DDR5   、  LPDDR5   之外还有  GDDR6   显存。
　　此外，长鑫在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标，2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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